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GeneSiC Semiconductor
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MBR60040CTR

Modèle de produit
MBR60040CTR
État RoHS
Conforme à RoHS
Fabricant / marque
GeneSiC Semiconductor
Etat du stock
772 pcs stock
Description du produit
DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Bateau de
Hong Kong
Livret des spécifications
MBR60020CT thru MBR60040CTR.pdf
Manière d'expédition
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

772 pcs stock Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs
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  • Après vente
  • Livret des spécifications
Spécifications de MBR60040CTR
Tension - directe (Vf) (max) @ Si750 mV @ 300 A
Tension - inverse (Vr) (max)40 V
La technologieSchottky
Package composant fournisseurTwin Tower
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries-
Package / BoîteTwin Tower
EmballerBulk
Température d'utilisation - Jonction-55°C ~ 150°C
Type de montageChassis Mount
Configuration diode1 Pair Common Anode
Courant - fuite, inverse à Vr1 mA @ 20 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)300A
Numéro de produit de baseMBR60040

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